NVD2955T4G 是 ON Semiconductor（安森美）推出的一款高性能 NPN 功率晶体管，专为高效开关电源和功率放大器设计。作为一款功率晶体管，NVD2955T4G 提供较低的饱和电压和较大的电流处理能力，广泛应用于电源管理、音频放大器、功率放大器等电力电子设备中。
主要规格参数
类型：NPN 功率晶体管
最大集电极电压（VCBO）：80V
最大集电极电流（IC）：15A
最大功率耗散（PC）：120W
典型饱和电压（VCE(sat)）：最大 2V（@IC = 10A）
增益（hFE）：最大 40（@IC = 4A, VCE = 10V）
封装形式：TO-220
工作温度范围：-65°C 至 +150°C
产品描述
NVD2955T4G 是一款高功率的 NPN 晶体管，特别设计用于高功率应用，能够提供稳定的工作性能。它具有较大的集电极电流和功率处理能力，使其能够在高负载和大电流条件下运行。晶体管的饱和电压较低，确保在高效电流转换和开关过程中损耗较小。NVD2955T4G 的封装为 TO-220，适合于要求较高功率散热的应用场合。
行业应用
高功率开关电源
音频功率放大器
电动工具
电动机驱动
电池管理系统
逆变器和电池充电器
汽车电子应用（如汽车音响、启动电路等）
相关型号
与 NVD2955T4G 类似的替代型号包括：STMicroelectronics 的 2N3055、Vishay 的 TIP3055、Fairchild 的 2N2955 等。根据具体应用，用户可以选择不同的型号、封装形式及额定参数。
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