BVSS123LT1G：高性能 P沟道 MOSFET，适用于高效开关电源和功率管理

BVSS123LT1G 是 ON Semiconductor（安森美）推出的一款高性能 P沟道 MOSFET，专为高效开关电源、功率管理以及其他电子设备设计。它具有较低的导通电阻、快速开关特性和较高的电流处理能力，广泛应用于电源电路和负载开关等场景。

主要规格参数

• 类型：P沟道 MOSFET

• 最大漏极电压（VDS）：-30V

• 最大漏极电流（ID）：-4A

• 导通电阻（RDS(on)）：最大 0.09Ω（VGS = -10V，ID = -4A）

• 最大功率耗散（PD）：最大 1.25W

• 封装形式：SOT-23

• 门极阈值电压（VGS(th)）：最大 -2.5V

• 工作温度范围：-55°C 至 +150°C

产品描述

BVSS123LT1G 是一款 P沟道 MOSFET，专门设计用于低电压高效开关应用。它采用小型 SOT-23 封装，具有低导通电阻和高功率处理能力，能够提高电路的整体效率。此型号 MOSFET 具有较低的门极阈值电压，能够在较低的栅压下工作，适合用于对电源管理、开关控制等要求较高的场合。它的快速开关特性使其非常适合用于高频开关电源电路中。

行业应用

• 高效开关电源

• 电池管理系统

• 电源管理与负载开关

• 电动工具与驱动电路

• 自动化控制系统

• 汽车电子与照明系统

• 通信设备的电源电路

相关型号

与 BVSS123LT1G 类似的替代型号包括：STMicroelectronics 的 STL040N3LLH、Vishay 的 SI7435DP、Nexperia 的 PSMN1R1-30YL 等。根据实际需求，用户可以选择不同的封装形式和电压等级。

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