BSS169H6327 N沟道 MOSFET：规格参数、应用领域

BSS169H6327 是 Infineon Technologies（英飞凌） 推出的一款 N 沟道增强型 MOSFET，其特点是 低功耗、低导通电阻和高开关速度，适用于功率管理、电池供电设备和信号开关等应用。

BSS169H6327 规格参数

• 类型：N 沟道 MOSFET

• 漏源电压（Vds）：60V

• 最大漏极电流（Id）：500mA

• 栅极驱动电压（Vgs）：±20V

• 导通电阻（Rds(on)）：≤ 7Ω @ Vgs=10V

• 功耗（Ptot）：360mW

• 开关速度：高开关速度，适用于高频应用

• 封装：SOT-23（小型封装，适用于紧凑型设计）

• 工作温度范围：-55°C 至 +150°C

• 特性：

  • 低 Rds(on) 以降低功耗

  • 高速开关性能，提高能效

  • 低栅极电荷（Qg），适用于低功耗驱动

  • 适用于低压信号开关应用

行业应用

由于 BSS169H6327 具有高效的电流处理能力和低功耗特性，因此广泛应用于以下领域：

• 电源管理：用于 DC-DC 转换、电池管理等低功耗设备

• 负载开关：在便携式电子设备、工业控制等领域，用作小信号负载开关

• 消费电子：智能手机、平板电脑、电池管理系统等

• 信号切换：用于低电流信号切换，如传感器接口

• 工业自动化：嵌入式系统、电机驱动、电源开关应用

相关替代型号

如果需要类似 BSS169H6327 的 MOSFET，可以考虑以下替代型号：

• BSS138（ON Semiconductor / Infineon）：更低的 Rds(on)，适用于更高效的开关应用

• IRLML6344（Infineon）：更低的导通电阻，适合高效率电源管理

• 2N7002（Nexperia）：具有相似的工作电压范围和封装

• BSS123（ON Semiconductor）：适用于相同的开关和功率管理应用

ChipsX 电子元件供应

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