IRF640NPBF N 沟道 MOSFET：规格参数、行业应用及相关型号

IRF640NPBF 是 Infineon Technologies（英飞凌） 生产的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 先进的 HEXFET® 技术，具有 高效率、低导通电阻和优异的开关性能，广泛应用于开关电源、电机驱动和工业控制等领域。

IRF640NPBF 规格参数

• 类型：N 沟道增强型 MOSFET

• 漏源电压（Vds）：200V

• 最大连续漏极电流（Id）：18A（@ 25°C）

• 最大脉冲漏极电流（Idm）：72A

• 栅极驱动电压（Vgs）：±20V

• 导通电阻（Rds(on)）：0.150Ω（@ Vgs=10V，Id=11A）

• 总功耗（Ptot）：125W（@ 25°C）

• 工作温度范围：-55°C 至 +175°C

• 封装：TO-220

• 特性：

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    低导通电阻（Rds(on)），提高能效，减少功耗

  • 高开关速度，适用于高频应用

  • 耐高电压（200V），适用于工业和功率转换应用

  • 增强的热稳定性，适用于高功率应用

行业应用

IRF640NPBF 以其 高功率处理能力、低损耗和耐高压特性，适用于多种电力电子应用，包括：

• 开关电源（SMPS）：高效 DC-DC 转换器和 AC-DC 变换器

• 电机驱动：步进电机、直流无刷电机（BLDC）驱动

• 太阳能逆变器：用于光伏系统的能量转换

• 工业自动化：高功率开关电路、继电器替代方案

• 音频放大器：高功率 D 类音频放大器

• UPS（不间断电源）：大功率 UPS 逆变电路

• 照明系统：高压 LED 照明驱动电路

相关替代型号

如果 IRF640NPBF 不能满足需求，可以考虑以下替代型号：

• IRF740（Infineon）：更高的耐压（400V），适用于更高电压的工业应用

• STP20N95K5（STMicroelectronics）：耐压更高（950V），适合高压功率管理应用

• IRF540N（Infineon）：电压范围较低（100V），但导通电阻更低，适合更低电压的高效应用

• FQP19N20C（ON Semiconductor）：具有类似的耐压（200V），但更低的 Rds(on)

ChipsX 电子元件供应

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