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IRF9540NSTRLPBF:高性能P沟道MOSFET,适用于电源管理与负载控制

IRF9540NSTRLPBF 是一款由 Infineon(原 IR)推出的 P 沟道功率 MOSFET,具备高耐压、低导通电阻等特点,适用于各种电源管理、电机...

IRF9540NSTRLPBF 是一款由 Infineon(原 IR)推出的 P 沟道功率 MOSFET,具备高耐压、低导通电阻等特点,适用于各种电源管理电机控制、反向保护以及开关电路中。其强大的驱动能力和耐压性能,适合多种工业和消费级应用。

IRF9540NSTRLPBF:高性能P沟道MOSFET,适用于电源管理与负载控制(图1)

核心参数

  • 类型:P 沟道增强型 MOSFET

  • 最大漏源电压(Vds):-100V

  • 最大连续漏极电流(Id):-19A(@25°C)

  • 最大导通电阻(Rds(on)):约 0.117Ω(@Vgs = -10V)

  • 功耗(Pd):130W(TO-220 封装)

  • 栅极电荷(Qg):67nC(典型值)

  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):-2V 至 -4V

  • 封装:D²PAK (TO-263) 表贴封装

  • 工作温度范围:-55°C 至 +175°C

  • 符合 RoHS 环保标准,无铅产品

产品特点

  • 高达 -100V 的耐压能力,适用于高电压系统

  • 大电流输出能力,满足高功率负载要求

  • 相对较低的导通电阻,降低功耗

  • 高可靠性与热稳定性,适合连续工作环境

  • 兼容标准电源控制器逻辑驱动

  • 表面贴装封装,便于自动化生产

典型应用领域

  • 高压DC电源负载开关

  • 反向电池保护电路

  • 电机控制系统中的高侧开关

  • 通信设备中的功率调节模块

  • 工业设备、电源逆变器

  • LED照明电路控制

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总结

IRF9540NSTRLPBF 是一款高可靠性的 P 沟道功率MOSFET,特别适用于需要高电压、高电流控制的应用。其在反向保护、电机驱动、电源开关等场合表现稳定,是电源系统设计中的理想之选。

关于 ChipsX

ChipsX(芯片行)专注于为全球客户提供原装正品电子元器件,长期供应 IRF9540NSTRLPBF 等各类功率MOSFET。我们支持现货采购、BOM 配单及样品申请,助力客户实现高效、高性能的电源系统设计。


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