IRF7416TRPBF：双N沟道功率MOSFET，适用于高密度电源管理与负载开关

IRF7416TRPBF 是由 Infineon（原 International Rectifier）推出的一款双通道 N 沟道功率 MOSFET，集成于紧凑的 SO-8 封装中。其具有极低的导通电阻和快速开关能力，适用于笔记本电脑、电池管理系统、负载开关、DC-DC 转换器等对空间与性能要求较高的场景。

核心参数

• 类型：双通道 N 沟道增强型 MOSFET

• 最大漏源电压（Vds）：30V

• 最大连续漏极电流（Id）：11A（每通道，@25°C）

• 最大导通电阻（Rds(on)）：约 0.009Ω（@Vgs=10V）

• 栅极电荷（Qg）：约 20nC（典型值）

• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V 至 3V

• 封装：SO-8（双MOS集成封装）

• 工作温度范围：-55°C 至 +150°C

• RoHS 认证：无铅环保产品

产品特点

• 双通道设计，适合高密度PCB布局

• 极低Rds(on)，降低功耗与发热

• 逻辑电平驱动，兼容3V和5V控制逻辑

• 快速开关速度，提升效率

• 封装紧凑，适合便携式与高集成系统

• 出色的热性能，适用于连续负载应用

典型应用领域

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• 笔记本电脑与便携设备的电源控制

• 电池管理系统（BMS）

• 高侧或低侧负载开关

• DC-DC转换器与同步整流器

• LED照明控制与电机驱动模块

• 通信与消费电子电源模块

相关型号推荐

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总结

IRF7416TRPBF 是一款性能卓越的双通道 N 沟道 MOSFET，结合低导通电阻、高开关速度和紧凑封装，适合用于各类高集成度的电源系统设计，特别适合笔记本电脑、智能终端和工业电源模块等空间敏感场景。

关于 ChipsX：

ChipsX（芯片行）专注于全球原装电子元器件供应，长期现货销售 IRF7416TRPBF 及各类功率MOSFET产品，支持样品申请、批量采购与全球配送，助力工程师实现高效设计与快速交付。