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IRLML6244TRPBF:高效N沟道MOSFET,适用于电池管理和低功耗应用

IRLML6244TRPBF 是一款由 Infineon(原 International Rectifier)推出的 N 沟道 MOSFET,专为低电压和低功耗...

IRLML6244TRPBF 是一款由 Infineon(原 International Rectifier)推出的 N 沟道 MOSFET,专为低电压和低功耗应用设计,具有快速开关特性、低导通电阻和小封装,非常适合用于电池管理、电源开关和便携式设备。

IRLML6244TRPBF:高效N沟道MOSFET,适用于电池管理和低功耗应用(图1)

核心参数

  • 类型:N 沟道增强型 MOSFET

  • 最大漏源电压(Vds):-30V

  • 最大连续漏极电流(Id):-3.5A(@25°C)

  • 最大导通电阻(Rds(on)):最大 0.015Ω(典型值)

  • 栅极电荷(Qg):约 2.2nC

  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):-1.0V 至 -3.0V

  • 封装:SOT-23

  • 工作温度范围:-55°C 至 +150°C

  • RoHS 认证:符合无铅标准

产品特点

  • 低导通电阻,减小功率损耗

  • 快速开关性能,提升系统效率

  • 适用于逻辑电平驱动,兼容标准 CMOS 电路

  • 高可靠性,适合恶劣环境下工作

  • 小型 SOT-23 封装,节省空间

  • 低栅极电荷,适用于高频开关应用

典型应用领域

  • 电池供电的便携设备(如移动电源、智能手表等)

  • 电源管理系统

  • 低功耗电路开关

  • 电压调节器和稳压电源

  • 信号开关和负载开关

  • 便携式电子设备中的负载断开

推荐替代型号或相关型号

  • IRLML6245TRPBF:相似参数,稍高的电流处理能力

  • BSS138:On Semiconductor 的 N 沟道 MOSFET

  • 2N7002:Microsemi 推出的经典逻辑级 MOSFET

  • FDC855N:Fairchild 的 N 沟道 MOSFET,适合低功耗应用

总结

IRLML6244TRPBF 作为一款低电压、低功耗的 N 沟道 MOSFET,特别适用于移动设备、便携式电源和电池管理系统。其小型封装、低导通电阻和快速开关特性,使其成为现代电子设备中理想的开关组件。

关于 ChipsX

ChipsX(芯片行)专注于为全球客户提供高品质的 N 沟道 MOSFET 及其他半导体产品。我们提供 IRLML6244TRPBF 的现货供应和大宗采购服务,支持快速交付,帮助客户加速产品设计与开发。


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