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IRFP4110PBF:高压高电流N沟道功率MOSFET,适用于大功率转换与电机驱动

IRFP4110PBF 是 Infineon(原 International Rectifier)推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,具有极低的导通电...

IRFP4110PBF 是 Infineon(原 International Rectifier)推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,具有极低的导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于电源管理电机驱动及工业控制等领域。

IRFP4110PBF:高压高电流N沟道功率MOSFET,适用于大功率转换与电机驱动(图1)

核心参数

  • 类型:N 沟道增强型功率 MOSFET

  • 最大漏源电压(Vds):-100V

  • 最大连续漏极电流(Id):-120A(@25°C)

  • 最大导通电阻(Rds(on)):最大 0.018Ω(典型值)

  • 栅极电荷(Qg):约 280nC

  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):-2.0V 至 -4.0V

  • 封装:TO-220

  • 工作温度范围:-55°C 至 +150°C

  • RoHS 认证:符合无铅标准

产品特点

  • 高电流输出能力,适合大功率应用

  • 低导通电阻,减少功耗

  • 高速开关特性,提升转换效率

  • 优秀的热管理性能,适合高功率密度设计

  • 适应广泛的工作环境,耐温范围广

  • TO-220 封装,便于散热和安装

典型应用领域

推荐替代型号或相关型号

  • IRFP460PBF:适用于较高电压和电流的场合

  • STP100N10F6:STMicroelectronics 的高电流 N 沟道 MOSFET

  • FDBL1545L:Fairchild 出品的高性能功率 MOSFET

  • IPP60R100P6:Infineon 推出的另一个功率级替代型号

总结

IRFP4110PBF 以其高电流能力、低导通电阻和出色的开关特性,在电源转换、电机驱动等领域表现出色。其 TO-220 封装非常适合要求高效率和高功率的应用场景。

关于 ChipsX

ChipsX(芯片行)为全球电子元件供应商,提供 IRFP4110PBF 等高效能功率器件,支持大宗采购、快速交付。我们专注于电源管理、工业自动化、汽车电子等领域,为客户提供稳定的元器件供应和技术支持。


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