IRFP4110PBF 是 Infineon(原 International Rectifier)推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,具有极低的导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。
核心参数
类型:N 沟道增强型功率 MOSFET
最大漏源电压(Vds):-100V
最大连续漏极电流(Id):-120A(@25°C)
最大导通电阻(Rds(on)):最大 0.018Ω(典型值)
栅极电荷(Qg):约 280nC
栅极阈值电压(Vgs(th)):-2.0V 至 -4.0V
封装:TO-220
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
RoHS 认证:符合无铅标准
产品特点
高电流输出能力,适合大功率应用
低导通电阻,减少功耗
高速开关特性,提升转换效率
优秀的热管理性能,适合高功率密度设计
适应广泛的工作环境,耐温范围广
TO-220 封装,便于散热和安装
典型应用领域
推荐替代型号或相关型号
IRFP460PBF:适用于较高电压和电流的场合
STP100N10F6:STMicroelectronics 的高电流 N 沟道 MOSFET
FDBL1545L:Fairchild 出品的高性能功率 MOSFET
IPP60R100P6:Infineon 推出的另一个功率级替代型号
总结
IRFP4110PBF 以其高电流能力、低导通电阻和出色的开关特性,在电源转换、电机驱动等领域表现出色。其 TO-220 封装非常适合要求高效率和高功率的应用场景。
关于 ChipsX:
ChipsX(芯片行)为全球电子元件供应商,提供 IRFP4110PBF 等高效能功率器件,支持大宗采购、快速交付。我们专注于电源管理、工业自动化、汽车电子等领域,为客户提供稳定的元器件供应和技术支持。