IRF4905STRLPBF 是由 Infineon(原 IR)推出的一款 P 沟道功率 MOSFET,具备高达 -55V 的耐压和超大电流处理能力,广泛用于工业电源、汽车电子、马达控制及高效电能转换系统。
核心参数
类型:P 沟道增强型功率 MOSFET
最大漏源电压(Vds):-55V
最大连续漏极电流(Id):-74A(@25°C)
最大导通电阻(Rds(on)):0.02Ω(典型)
最大功耗(Pd):200W
栅极阈值电压(Vgs(th)):-2.0V ~ -4.0V
封装形式:D²PAK(TO-263)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
RoHS 认证:符合环保无铅标准
产品特点
高电流、高功率能力,适合重载应用
超低导通电阻,减少能量损耗
快速切换能力,提升系统效率
P 沟道设计,简化高边驱动应用
D²PAK 表贴封装,良好散热性能
符合汽车标准 AEC-Q101(部分版本)
典型应用领域
推荐替代型号或相关型号
IRF4905PBF(TO-220 封装版本)
FQP27P06:Fairchild/ON 的 P 沟道高电流 MOSFET
STP75P03:STMicroelectronics 推出,适用于类似负载场景
IPP50P03P4L:Infineon 高性能替代型号
总结
IRF4905STRLPBF 是一款可靠的 P 沟道功率 MOSFET,适用于要求高电流输出和高效率的电源控制系统。其超低 Rds(on) 和出色的散热能力使其在工业与汽车应用中表现优越。
关于 ChipsX:
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