IRFP4668PBF：高电流能力的N沟道功率MOSFET，适用于高效电源转换应用

IRFP4668PBF 是 Infineon（原 IR International Rectifier）推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，具备超低导通电阻（Rds(on））和高电流承载能力。它被广泛应用于高效率的电源转换、电机驱动、UPS、不间断电源系统、DC-DC 转换器等领域。

核心参数

• 类型：N 沟道增强型功率 MOSFET

• 最大漏极-源极电压（Vds）：200V

• 最大连续漏极电流（Id）：≥ 160A（@25°C）

• 导通电阻（Rds(on)）：约 2.2 mΩ（典型值）

• 栅极电荷（Qg）：约 260nC

• 封装：TO-247AC

• 工作温度范围：-55°C 至 +175°C

• 封装标识：IRFP4668PBF，环保无铅版本（Pb-free）

产品特点

1. 超低导通电阻，降低能量损耗

2. 高电流处理能力，适用于大功率场景

3. 高速开关能力，提升转换效率

4. 低栅极电荷，便于驱动

5. 采用 TO-247AC 封装，良好的散热性能

6. 环保无铅设计，符合 RoHS 标准

典型应用领域

• 大功率 DC-DC 转换器

• 高效开关电源（SMPS）

• 电机控制和驱动电路

• UPS（不间断电源）

• 电焊设备

• 光伏逆变器

• 逆变电源系统

相关替代型号推荐

• IRFP4568PBF：类似封装和电压等级，适用于高压电源

• STP200N15F3：来自 ST 的 N 沟道 MOSFET，适用于相似功率场景

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• FDP2532：用于中等功率应用的经济型 MOSFET

总结

IRFP4668PBF 凭借其高电流能力、极低导通电阻和优良的开关性能，是工业和电源设计中不可或缺的高功率 MOSFET 元件。对于需要高效率、高可靠性输出的电路设计者而言，它是理想之选。

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