IRLML6401TRPBF 是 Infineon（英飞凌）推出的一款 P 通道 MOSFET，专为低压应用优化，具有超低导通电阻（Rds(on)）和高效能开关特性。其采用 SOT-23 小封装，适用于电源管理、负载开关、电池管理和便携式设备等应用。
IRLML6401TRPBF 规格参数
类型：P 通道 MOSFET
漏源电压（Vds）：-20V
连续漏极电流（Id）：-3.3A（@25°C）
栅极驱动电压（Vgs）：±8V
导通电阻（Rds(on)）：最大 52mΩ（@ Vgs = -2.5V）
功耗（Pd）：1.25W
开关速度：适用于高频开关电路
封装：SOT-23
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
特性：
低 Rds(on)，减少导通损耗
适用于低电压控制系统
小型封装，适合空间受限应用
低门极驱动电压，适用于低功耗电路
行业应用
IRLML6401TRPBF 适用于各种低压开关和电源管理应用，包括：
智能手机和平板电脑：用于电池管理和功率分配
可穿戴设备：适用于超低功耗应用
DC-DC 转换器：用于高效能电源转换
负载开关：控制低功耗电子设备的通断
便携式医疗设备：应用于精确功率控制
相关替代型号
如果 IRLML6401TRPBF 不适用，可以考虑以下替代型号：
IRLML6402（Infineon）：更低 Rds(on)，适用于高效功率管理
DMG2305UX（Diodes Inc.）：-20V P 通道 MOSFET，适用于相同电压范围应用
SI2323DS（Vishay）：-20V P 通道 MOSFET，具有相似导通电阻
BSS84（ON Semiconductor）：-50V P 通道 MOSFET，适用于更高电压需求
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